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2SB655

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·High Power Dissipation-: PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD675 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.

文件:220.07 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SB655

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION · With TO-3 package · Low collector saturation voltage · High power dissipation APPLICATIONS · Power amplifier applications · Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage

文件:108.97 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2SB655

Silicon PNP Power Transistors

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SAVANTIC

2SB655

Silicon PNP Power Transistors

文件:126.39 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SB655(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    20MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    2N6031,2N6379,2SA1227A,2SA1386,2SB554,2SB697,3CD10E,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    160

  • htest:

    20000000

  • atest:

    12

  • wtest:

    100

详细参数

  • 型号:

    2SB655

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon PNP Power Transistors

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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