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2SB1555	文件：245.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= -6A ·Complement to Type 2SD2384 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications 文件：245.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1556	文件：139.39 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SD2385 文件：139.39 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1556	文件：245.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= -7A • Complement to Type 2SD2385 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications 文件：245.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1556	文件：113.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2385 • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：113.1 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1557	文件：145.15 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SD2386 文件：145.15 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1558	文件：145.47 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SD2387 文件：145.47 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1558	文件：135.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PI package • Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：135.55 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1558	文件：161.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PI package • Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：161.14 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1558	文件：137.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@lc= -7A • Low-Collector Saturation Voltage- : VCE(satr -2.5V(Max.)@lc= -7A • Complement to Type 2SD2387 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：137.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1558	文件：125.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PI package • Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：125.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SB1554
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
25MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-63
vtest：
60
htest：
25000000
atest：
4
wtest：
15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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