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2SB1562

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain-:hFE=300~1000@(VCE=-5V,IC=-0.5A) ·LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.5V(TYP.)@(IC=-2A,IB=-20mA) APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SB1562

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    HI_BETA

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB1299,2SB1314,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

    β=300-1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
17+
TO-220
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原装正品 可含税交易
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更多2SB1562供应商 更新时间2024-4-29 14:01:00