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2SB1308-R-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 3A SOT89	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1308	文件：189.49 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1308	文件：50.99 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor ■Features ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1308	文件：66.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SB1308	文件：61.48 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-50V,-3A) Features 1)Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=−0.45V(Max.)atIC/IB=−1.5A/−0.15A. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD1963.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1308	文件：1.5223 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1308	文件：482.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
2SB1308	文件：134.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB1308	文件：151.95 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.45(Max)atIC/IB=-1.5A/-0.15A ●ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ●Complementarythe2SD1963.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1308	文件：437.12 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-50V,-3A) FEATURES Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max)atIC/IB=-1.5A/-0.15A ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. Complementarythe2SD1963.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

产品属性

产品编号：
2SB1308-R-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 150mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
TRANS PNP 20V 3A SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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