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2SB1202T	文件：246.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications ·Medium speed power amplifier 文件：246.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1202T-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1202T-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1202T-TL-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1202T-TL-E	文件：100.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1 文件：100.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1202T-E	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1202T-E	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor 文件：215.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1202T-ETP	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	丝印：B1202；Package：TP；High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1202T-TL-E	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor 文件：215.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1202T-TL-E	文件：500 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications 文件：500 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO

详细参数

型号：
2SB1202T
制造商：
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述：
3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1202T供应商更新时间2025-10-31 13:30:00

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