2SB1202T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SB1202T |
| 参数属性 | 2SB1202T 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 50V 3A TPFA |
| 功能描述 | Silicon PNP Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
246.11 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-9 18:28:00 |
| 人工找货 | 2SB1202T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB1202T规格书详情
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -50V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= -0.1A
·Fast switching speed
·Large current capacity
APPLICATIONS
·Power amplifier applications
·Driver stage amplifier applications
·Medium speed power amplifier
产品属性
- 产品编号：
2SB1202T-TL-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 100mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TP-FA
- 描述：
TRANS PNP 50V 3A TPFA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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