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2SB1197K	文件：53.25 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1197K	文件：626.33 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1197K	文件：123.68 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) •IC=-0.8A	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1197K	文件：39.09 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1197KFRA	文件：1.36609 Mbytes Page：6 Pages	LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)≦-500mV (IC=-500mA/IB=-50mA) 2)IC=-0.8A. Application LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1197KPT	文件：90.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSwitchingTransistor VOLTAGE32VoltsCURRENT0.8Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Correctorpeakcurrent(Max.=1000mA). Suitableforhighpackingdensity. Lowvoltage(Max.=40V). Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Telepho	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2SB1197KQ	文件：673.44 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistorPNPSilicon	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
2SB1197KQ	文件：663.9 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1197KQ	文件：484.58 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2SB1197KR	文件：484.58 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

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