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2SB1132-R-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 1A SOT89	MCC	MCC
2SB1132SQ	文件：687.37 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistor 文件：687.37 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
2SB1132	文件：64.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.51 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
2SB1132	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132	文件：348.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors PNP Plastic-Encapsulate Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：348.95 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON

产品属性

产品编号：
2SB1132-R-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
TRANS PNP 32V 1A SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1132-R-TP供应商更新时间2025-10-7 9:30:00

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