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2SB1123数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SB1123

参数属性

2SB1123 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 2A SOT89-3

功能描述

双极晶体管,-50V,-2A,低饱和压,(PNP)NPN 单 PCP
TRANS PNP 50V 2A SOT89-3

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:40:00

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2SB1123规格书详情

描述 Description

2SB1123 is a Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for High-Current Switching Applications.

特性 Features

• Adoption of FBET, MBIT processes
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Large current capacity and wide ASO
• Fast switching speed
• The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid ICs furtherminiaturization

应用 Application

• Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment

简介

2SB1123属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SB1123晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SB1123

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.7

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :50

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :140

  • hFE Max

    :280

  • fT Min (MHz)

    :150

  • PTM Max (W)

    :0.5

  • Package Type

    :SOT-89/PCP-1

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