Silicon PNP Epitaxial

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RENESAS

瑞萨

Silicon PNP Epitaxial

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RENESAS

瑞萨

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Features High DC Current Gain Low Frequency Amplifier

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DGNJDZ

南晶电子

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -55 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

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WINNERJOIN

永而佳

Silicon PNP Epitaxial

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瑞萨

Plastic-Encapsulated Transistors

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TEL