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2SA836DTZ	文件：169.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：169.55 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA836-TA	文件：1.66429 Mbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features High DC Current Gain Low Frequency Amplifier 文件：1.66429 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA836	文件：169.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：169.55 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA836	文件：76.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors 文件：76.07 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA836	文件：32.79 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Low frequency low noise amplifier / PNP Collector to base voltage VCBO : –55 V Collector to emitter voltage VCEO : –55 V Emitter to base voltage VEBO : –5 V Collector current IC : –100 mA 文件：32.79 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

详细参数

型号：
2SA836DTZ
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial

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