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2SA836DTZ	文件：169.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SA836	文件：76.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA836	文件：32.79 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPEpitaxial Lowfrequencylownoiseamplifier/PNP CollectortobasevoltageVCBO:–55V CollectortoemittervoltageVCEO:–55V EmittertobasevoltageVEBO:–5V CollectorcurrentIC:–100mA	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SA836	文件：1.66429 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features HighDCCurrentGain LowFrequencyAmplifier	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA836	文件：478.29 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SA836	文件：143.43 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-55V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
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详细参数

型号：
2SA836D
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial

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