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2SA2070(TE12L,F)

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 1A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2070

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA2070

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications

文件:162.54 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA2070

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.1 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) =- 0.20 V (max) • High-speed switching: tf = 70 ns (typ.)

文件:134.87 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SA2070(TE12L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 10mA,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PW-MINI

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 1A PW-MINI

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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