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2SA2070(TE12L,F)

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-243AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 1A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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2SA2070

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=200to500(IC=-0.1A) •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=-0.20V(max) •High-speedswitching:tf=70ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SA2070

High-SpeedSwitchingApplicationsDC-DCConverterApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SA2070

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SA2070(TE12L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 10mA,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PW-MINI

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 1A PW-MINI

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更多2SA2070(TE12L,F)供应商 更新时间2024-5-25 14:30:00