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2SA1978-A

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

2SA1978

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP. •|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=−10V,IC=−15mA •Highspeedswitchingcharacteristics •EquivalentNPNtransistoristheNE02133/2SC2351. •Alternativeofthe2SA1424.

CEL

California Eastern Labs

2SA1978

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SA1978

PNPEitaxialSiliconTransistor

Features ●HighfT(fT=5.5GHzTYP). ●Highgain|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA ●High-speedswitchingcharacterstics

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SA1978

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP. •|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=−10V,IC=−15mA •Highspeedswitchingcharacteristics •EquivalentNPNtransistoristhe2SC2351. •Alternativeofthe2SA1424.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1978-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    5.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2dB @ 1GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 15mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
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15000
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