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2SA1962	文件：146.86 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−230V(min) •Complementaryto2SC5242 •Recommendedfor80-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifier outputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1962	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1962-O	文件：146.86 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−230V(min) •Complementaryto2SC5242 •Recommendedfor80-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifier outputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1962OTU	文件：206.12 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsarea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SA1962OTU	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1962RTU	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1962RTU	文件：206.12 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsarea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
2SA1962-O(Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P（N）
描述：
TRANS PNP 230V 15A TO3P

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