2SA1955FV中文资料Transistor for low frequency small-signal amplification数据手册Toshiba规格书

厂商型号 |
2SA1955FV |
参数属性 | 2SA1955FV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM |
功能描述 | Transistor for low frequency small-signal amplification |
封装外壳 | SOT-723 |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 9:06:00 |
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2SA1955FV规格书详情
描述 Description
Feature:High current
Polarity:PNP
Complementary Product:2SC5376FV
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
特性 Features
Collector Current IC -0.4 A
Collector-emitter voltage VCEO -12 V
技术参数
- 产品编号:
2SA1955FVBTPL3Z
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 10mA,200mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 10mA,2V
- 频率 - 跃迁:
130MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
VESM
- 描述:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
15+ |
TO-247 |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
TO252 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
60000 |
询价 | |||
日立 |
24+ |
TO-126 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
CAN3 |
8858 |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
VESM |
38550 |
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询价 | ||
KEC |
25+ |
TO-3P |
26 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO252 |
39197 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
169863 |
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TOSHIBA |
25+23+ |
TO-3P |
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