2SA1943数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2SA1943 |
| 参数属性 | 2SA1943 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 250V 17A TO264-3 |
| 功能描述 | PNP外延硅晶体管 |
| 封装外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 20:16:00 |
| 人工找货 | 2SA1943价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1943规格书详情
特性 Features
•高电流能力：IC = -15 A
•高功耗：150瓦
•高频率：30 MHz
•高电压：VCEO = -250 V
•宽S.O.A可实现可靠操作
•极佳的增益线性度可实现低THD
•2SC5200/FJL4315的补充器件
•提供热Spice模型和电气Spice模型
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
2SA1943属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SA1943晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2SA1943
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：17
- VCEO Min (V)
：250
- VCBO (V)
：250
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1
- hFE Min
：55
- hFE Max
：110
- fT Min (MHz)
：30
- PTM Max (W)
：150
- Package Type
：TO-264-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
TOSHIBA |
20+ |
TO-3PL |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-3PL |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
24+/25+ |
4 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||||
TOSHIBA |
1726+ |
TO-3P |
6528 |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
询价 | ||
TOSHIBA |
10+ |
TO-3PL |
132 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
10000 |
原装现货 |
询价 | |||
华微 |
23+ |
TO-3PL |
50000 |
华微功率器件全系列供应,支持终端生产 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
21++ |
SOP |
5600 |
全新原装公司现货
|
询价 |
