2SA1943中文资料PNP外延硅晶体管数据手册ONSEMI规格书
2SA1943规格书详情
特性 Features
•高电流能力：IC = -15 A
•高功耗：150瓦
•高频率：30 MHz
•高电压：VCEO = -250 V
•宽S.O.A可实现可靠操作
•极佳的增益线性度可实现低THD
•2SC5200/FJL4315的补充器件
•提供热Spice模型和电气Spice模型
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
2SA1943属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SA1943晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2SA1943
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：17
- VCEO Min (V)
：250
- VCBO (V)
：250
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1
- hFE Min
：55
- hFE Max
：110
- fT Min (MHz)
：30
- PTM Max (W)
：150
- Package Type
：TO-264-3
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