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2SA1943N数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SA1943N

参数属性

2SA1943N 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 230V 15A TO3P

功能描述

Power transistor for high-speed switching applications

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:25:00

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2SA1943N规格书详情

描述 Description

Feature:The linearity of hFE is good.
Application Scope:Audio amplifier output stage 100-W / Power amplifier
Polarity:PNP
Complementary Product:2SC5200N
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Collector Current IC -15 A
Collector power dissipation PC 150 W
Collector-Base Voltage VCBO -230 V
Collector-emitter voltage VCEO -230 V

技术参数

  • 制造商编号

    :2SA1943N

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :PNP

  • Features

    :Power Amps Output Stage

  • VCEO(Max)(V)

    :-230

  • IC(Max)(A)

    :-15

  • hFE(Min)

    :80

  • hFE(Max)

    :160

  • VCE(sat)(Max)(V)

    :-3.0

  • fT(Typ.)(MHz)

    :30

  • ComplementaryProduct

    :2SC5200N

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name

    :TO-3P(N)

  • Width×Length×Height(mm)

    :15.5 x 20.0 x 4.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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