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2SA1700-251

文件：322.53 Kbytes

Page：3 Pages

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Highbreakdownvoltage ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Forhighvoltagedriverapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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