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2SA1615	文件：266.31 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistorforHigh-speedSwitching FEATURES ●Largecurrentcapacity: IC(DC):-10A,IC(pulse):-15A. ●HighhFEandlowcollectorsaturation voltage:hFE=200MIN.(@VCE=-2V,IC=-0.5A) VCE(sat)≤-0.25V(@IC=-4A,IB=-0.05A)	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1615	文件：220.73 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LargeCurrentCapacity ●HighhFEandLowCollectorSaturationVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1615	文件：187.76 Kbytes Page：4 Pages	PTYPETTANSISTORS PTYPETTANSISTORS-10A The2SA1615and1615-Zareavailableforthelargecurrentcontrolinsmallduetothelowsaturationandareidealforhigh-efficiencyDC/DCconvertersduetothefastswitchingspeed. FEATURE ●Largecurrentcapacity: Ic(DC):-10A,Ic(pulse):-15A ●HighhFEand	STANSON Stanson Technology	STANSON
2SA1615-Z	文件：240.04 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Largecurrentcapacity:IC(DC)=-10AIC(pulse)=-15A •HighhFEandlowsaturationvoltage: hFE=200min(VCE=-2V,IC=-0.5A) VCE(sat)≤-0.25V(IC=-4A,IB=-0.05A) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APP	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1615-Z	文件：41.3 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerTransistors Features ●Largecurrentcapacity. ●HighhFEandlowcollectorsaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1615-Z	文件：187.76 Kbytes Page：4 Pages	PTYPETTANSISTORS PTYPETTANSISTORS-10A The2SA1615and1615-Zareavailableforthelargecurrentcontrolinsmallduetothelowsaturationandareidealforhigh-efficiencyDC/DCconvertersduetothefastswitchingspeed. FEATURE ●Largecurrentcapacity: Ic(DC):-10A,Ic(pulse):-15A ●HighhFEand	STANSON Stanson Technology	STANSON

详细参数

型号：
2SA1615-AZ
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Trans GP BJT PNP 20V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Cut Tape
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans GP BJT PNP 20V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-251

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