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2SA1015T-G	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015T-L	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015T-O	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015T-Y	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015-Y	文件：84.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof0.4WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.15A •Collector-baseVoltage:-50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+125°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:A1015 •LeadFreeFinish/R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-Y	文件：633.47 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-Y	文件：390.75 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ST2SA1015	文件：147.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,L,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor ST2SC1815isrecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscan	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
UTC2SA1015	文件：62.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR FEATURES Collector-EmitterVoltage:BVCEO=-50V Collectorcurrentupto150mA HighhFElinearity Complementto2SC1815	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
2SA1015O
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1015O供应商更新时间2025-7-19 10:50:00

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