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2SA1015T-L	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015T-O	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015T-Y	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015-Y	文件：633.47 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-Y	文件：84.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof0.4WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.15A •Collector-baseVoltage:-50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+125°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:A1015 •LeadFreeFinish/R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-Y	文件：390.75 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ST2SA1015	文件：147.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,L,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor ST2SC1815isrecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscan	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
UTC2SA1015	文件：62.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR FEATURES Collector-EmitterVoltage:BVCEO=-50V Collectorcurrentupto150mA HighhFElinearity Complementto2SC1815	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
2SA1015L
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Audio Frequency Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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