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2SA1015	文件：73.45 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR 2SA1015isPNPsiliconplanartransistordesignedforaudiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicationsanddriverstageamplifierapplications.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SA1015	文件：110.69 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：37.74 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistor Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1015	文件：215.16 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2SA1015	文件：143.93 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYPNPAMPLIFIERTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1015	文件：50.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SA1015isdesignedforuseindriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SA1015	文件：176.91 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：156 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIER,DRIVERSTAGEAMPLIFIER) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：172.91 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：2.58913 Mbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) ●Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1015	文件：128.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistor PNPEpitaxialPlanarTransistor	FCI Amphenol ICC	FCI
2SA1015	文件：205.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ComplementaryTo2SC1815. ●ExcellentHFELinearity. ●Highvoltageandhighcurrent. ●Lownoise. ●Collector-EmittervoltageBVCEO=-50V. APPLICATIONS ●Lowfrequency,lownoiseamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1015	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1015	文件：123.73 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltageandhighcurrent FEATURES Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFELinearity Lowniose,ComplementarytoC1815	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
2SA1015	文件：816.39 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1015	文件：167.78 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1015	文件：1.22139 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highvoltageandhighcurrent,excellenthFElinearity, lownoise,complementarypairwith2SC1815. Applications Audiofrequencygeneralpurpose, driverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1015	文件：2.0101 Mbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintothreegroupsO,Y andG,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor C1815isrecommended.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1015	文件：196.1 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：154.23 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,L,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor 2SC1815isrecommended.)	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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更多2SA1015(L)GR(TPE2F供应商更新时间2024-6-22 14:30:00

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