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2SA1012	文件：285.45 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forhighcurrentswitchingapplications. Thetransistorissubdividedintotwogroup,OandY,accordingtoitsDCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SA1012	文件：213.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •MountingTorgue:5in-lbsMaximum •Capableof25WattsofPowerDissipation. •Collector-current-5.0AandCollector-baseVoltage-60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •LeadFreeFinish	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1012	文件：125.39 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPTransistors SiliconPNPTransistors ♦Features •WithTO-220package •Complementaryto2SC2562	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1012	文件：135.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Complementtotype2SD2562 ·Lowsaturationvoltage ·Highspeedswitchingtime APPLICATIONS ·Highcurrentswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SA1012	文件：113.95 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4(V)(Max)@IC=-3A ·HighSwitchingSpeed ·ComplementtoType2SC2562 APPLICATIONS ·Designedforhighcurrentswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1012	文件：111.28 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION FEATURES LowCollectorSaturationVoltage VCE(SAT)=-0.4V(max.)AtIc=-3A HighSpeedSwitchingTime:tS=1.0μs(Typ.) *ComplementaryTo2SC2562	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1012	文件：199.19 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISITOR(HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS. ■FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage VCE(SAT)=-0.4V(max.)atIc=-3A Highspeedswitchingtime:tS=1.0µs(Typ.) *Complementaryto2SC2562	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1012	文件：116.53 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(5A,50V,25W) 5AMPERESPOWERTRANSISTORS50VOLTS25WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
2SA1012B	文件：747.85 Kbytes Page：4 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1012Z	文件：117.57 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

产品属性

产品编号：
2SA1012-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 150mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 1A，1V
频率 - 跃迁：
60MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
TRANS PNP 50V 5A TO220AB

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