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2N708中文资料NPN Silicon Switching 15V, 0.01A数据手册Microchip规格书

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厂商型号

2N708

参数属性

2N708 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V TO18

功能描述

NPN Silicon Switching 15V, 0.01A
TRANS NPN 15V TO18

封装外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:12:00

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2N708规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN silicon switching 2N708 transistors. Two levels of product assurance (JAN and JANTX) are provided for the device type as specified in MIL-PRF-19500/312. One level of product assurance (JANHC) is provided for unencapsulated device type (die) as specified in MIL-PRF-19500/312. The device package styles are as follows: Three terminal metal-can package TO-206AA (formerly TO-18) and unencapsulated die for device type JANHC.

简介

2N708属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N708晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N708

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 15V TO18

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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