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2N7002W中文资料小信号 MOSFET 60V,340mA,1.6 Ω,单 N 沟道 SC-70数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N7002W

参数属性

2N7002W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

功能描述

小信号 MOSFET 60V,340mA,1.6 Ω,单 N 沟道 SC-70
MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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2N7002W规格书详情

描述 Description

Power MOSFET ideal for low power applications. 60V, 340mA, 1.6 Ohm, Single N-Channel, SC-70.

特性 Features

• Low RDS(on)
• Improved system efficiency
• Small Footprint Surface Mount Package
• Space saving
• ESD Protected
• RoHS Compliant

应用 Application

• Low Side Load Switch
• Level Shift Circuits
• DC-DC Converter
• Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.
• Notebook, Desk Top, DTV, Portable

简介

2N7002W属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的2N7002W晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N7002W

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :0.34

  • PD Max (W)

    :0.28

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1600

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.7

  • Ciss Typ (pF)

    :24.5

  • Package Type

    :SC-70-3/SOT-323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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