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2N7002K	文件：307.7 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS MOSFET(N-Channel) Features: 1.RDS(ON)islow; 2.Thecontroltriggerissensitive; 3.Withelectrostaticprotection; Applications: Usedforgeneralswitchingandphasecircuits.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
2N7002K	文件：1.30336 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETs N-channelMOSFET FEATURE ●HighdensitycelldesignforLowRDS（on） ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●ESDprotected APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N7002K	文件：1.40128 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●HMBESDprotected(2000V) APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
2N7002K	文件：512.299 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features LowOn-Resistance:RDS(ON) LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtected2KVHBM	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N7002K	文件：347.49 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™logiclevelFET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications 1.4Quickreferencedata nLogiclevelcompatiblenVeryfastswitching nSubminiaturesurfacemountpackagenGate-sourceESDprotectiondiodes	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002K	文件：1.01742 Mbytes Page：3 Pages	60VN-ChannelMosfet Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002K	文件：1.406 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFET Features HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Voltagecontrolledsmallsignalswitch. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. ESDprotected LoadSwitchforPortableDevices. DC/DCConverter.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2N7002K	文件：824.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●HighdensitycelldesignforLowRDS(on) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●ESDprotected2KVHBM APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
2N7002K	文件：697.75 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=0.3A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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