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2N7002D3	文件：213.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=60V,ID=0.32A RDS(ON)=1.6Ω@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=2.0Ω@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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文件：213.62 Kbytes

Page：4 Pages

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=60V,ID=0.32A RDS(ON)=1.6Ω@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=2.0Ω@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

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更多2N7002D3供应商更新时间2025-5-24 14:08:00

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