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2N7002BK_15

60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

文件:176.53 Kbytes 页数:16 Pages

PHI

飞利浦

PHI

2N7002BK215

60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ■ Logic-level compatible ■ Very fast switching ■ Trench MOSFET technology ■ ESD protecti

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恩XP

恩XP

2N7002DW-7-F

DIODES/美台
SOT363

DIODES/美台

2N7002DWH6327

INFINEON/英飞凌
SOT363

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市英科美电子有限公司

INFINEON/英飞凌

2N7002ET1G

INFINEON
SOT-23(SOT

Infineon

英飞凌

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

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更多2N7002BK_15供应商 更新时间2025-10-11 14:20:00