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2N7002DW	文件：172.69 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETS Thisspace-efficientdevicecontainstwoelectrically-isolatedN-Channelenhancement-modeMOSFETs.ItcomesinaverysmallSOT-363(SC70-6L)package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●LowOn-Re	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002DW	文件：66.24 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(Rds(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •Lo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002DW	文件：77.92 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelMOSFET Features: LowOn-Resistance:7.5Ω LowInputCapacitance:22PF LowOutputCapacitance:11PF LowThreshole:1.5V(TYE) FastSwitchingSpeed:11ns MechanicalData: Case:SOT-363,MoldedPlastic CaseMaterial-ULFlammabilityRating94V-0 Terminals:SolderableperMIL-STD-	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N7002DW	文件：164.69 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002DW	文件：258.86 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002DW	文件：283.76 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •DualN-channel •Enhancementmode •Logiclevel •Avalancherated •Fastswitching •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2N7002DW	文件：190.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002DW	文件：142.59 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalMOSFET SmallSignalMOSFET115mAmps,60Volts N–ChannelSOT–363	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002DW	文件：89.71 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002DW	文件：306.81 Kbytes Page：6 Pages	300mAmps,60VoltsDUALN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002DWusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES HighDensityCellDesignforLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSign	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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