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2N6790	文件：86.16 Kbytes Page：7 Pages	3.5A,200V,0.800Ohm,N-ChannelPower 3.5A,200V,0.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET The2N6790isanN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerMOSfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransis	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6790	文件：45.46 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6790U	文件：688.67 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION This2N6790UdeviceismilitaryqualifieduptoaJANTXVlevelforhigh-reliabilityapplications.Microsemialsooffersnumerousotherproductstomeethigherandlowerpowervoltageregulationapplications. FEATURES •JEDECregistered2N6790U. •JAN,JANTX,andJANTXVqualificat	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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JANTX2N6790	文件：236.59 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=3.5A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstate	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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详细参数

型号：
2N6790TXV
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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