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2N6851	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package	SEME-LAB Seme LAB
JANS2N6851	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTX2N6851	文件：282.47 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-4.0A) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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JANTX2N6851	文件：248.92 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTX2N6851U	文件：203.34 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) BVDSS-200V RDS(on)0.80Ω ID-4.0A Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
2N6851
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 200V 4A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 4A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-4A; Drain Source Voltage
Vds：
-200V; On Resistance
Rds(on)：
800mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
Int'L Rectifier

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