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2N6766	文件：256.99 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications. These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package. Microsemi also offers numerous other transistor products to 文件：256.99 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6766	文件：256.99 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications. These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package. Microsemi also offers numerous other transistor products to 文件：256.99 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6766	文件：142.44 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V Power And Discrete Division 文件：142.44 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N6766	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series FEATURES: • Fast switching times • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Excellent high voltage stability • Low input capacitance • Improved high temperature reliability APPLICATIONS: • Switching power supplies • Motor controls • Audio Amplifiers • Invert 文件：49.56 Kbytes 页数：1 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
2N6766	文件：26.78 Kbytes Page：2 Pages	N–CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • HERMETICALLY SEALED TO–3 METAL PACKAGE • SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS • SCREENING OPTIONS AVAILABLE 文件：26.78 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6766	文件：47.28 Kbytes Page：2 Pages	VGS Rated at 짹20V 文件：47.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6766	文件：244.82 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOSFET 文件：244.82 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6766	文件：257.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOSFET 文件：257.01 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6766	文件：300 bytes Page：1 Pages	高可靠性功率 MOSFET \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
2N6766T1	文件：1.00188 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications. These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package. Microsemi also offers numerous other transistor products to 文件：1.00188 Mbytes 页数：9 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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详细参数

型号：
2N6766
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 30A 3PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
2N6766 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET 200V 30A TO-204
功能描述：
N CH MOSFET, 200V, 30A, TO-204AE; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
30A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
85mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N6766	MOTOROLA/摩托罗拉	25+	TO-3	45000	MOTOROLA/摩托罗拉全新现货2N6766即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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