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2N6718	文件：1.67371 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N6718	文件：141.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR GeneralPurposeMediumPowerAmplifier	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N6718	文件：1.01724 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features HighVCEO,largecurrent. Applications Designedforgeneralpurposemediumpoweramplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N6718	文件：307.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Moisure	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N6718	文件：159.87 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPLANARTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N6718	文件：32.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS FEATURES 100VoltVCEO Gainof20atIC=0.5Amp *Ptot=1Watt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N6718	文件：832.14 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •GeneralPurposeSwitchingApplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N6718	文件：45.84 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICON COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 2N6716,2N6728SeriestypesareComplementarySiliconPlasticPowerTransistorsdesignedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6718	文件：100.53 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPLANARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2N6718isdesignedforgeneralpurposemediumpoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES HighPower:850mW HighCurrent:1A	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N6718	文件：50.69 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
2N6718STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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