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2N6520	文件：214.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2N6520	文件：118.01 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-350V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N6520	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：109.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6520	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N6520	文件：70.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltageTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCBO=-350V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW •Complementto2N6517	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6520	文件：105.88 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
2N6520	文件：27.21 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 350VoltVCEO Gainof15atIC=-100mA	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6520	文件：229.58 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNandPNP Features •VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：304.96 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6515,2N6518 seriesdevicesarecomplementarysilicontransistors designedforhighvoltagedriverandamplifier applications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
2N6520STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6520STOB供应商更新时间2025-5-22 9:11:00

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