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2N650数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

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厂商型号

2N650

参数属性

2N650 封装/外壳为TO-78-6 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANSISTOR DUAL TO78

功能描述

Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92

封装外壳

TO-78-6 金属罐

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:50:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N650

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Transition Frequency

    :200MHz

  • Maximum Power Dissipation

    :625mW

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :5V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :350V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.3@1mA@10mA|0.35@2mA@20mA|0.5@3mA@30mA|1@5mA@50mAV

  • Maximum Collector Base Voltage

    :350V

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Small Signal

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