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2N6496中文资料High-Current, High-Power High-Speed Silicon N-P-N Planar Transistors数据手册GESS规格书

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厂商型号

2N6496

参数属性

2N6496 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

High-Current, High-Power High-Speed Silicon N-P-N Planar Transistors

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

GESS GE Solid State

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:06:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2N6496

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 800µA, 8mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

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