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POWER TRANSISTOR(25A,200W) 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：128.77 Kbytes 页数：3 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：115.38 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：135.54 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：134.72 Kbytes 页数：3 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：115.38 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
POWER TRANSISTOR(25A,200W) 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：128.77 Kbytes 页数：3 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | ||
isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V(Min)- 2N6338 = 120V(Min)- 2N6339 = 140V(Min)- 2N6340 = 160V(Min)- 2N6341 • High Switching Speed • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 10A APPLICATIONS •Designed for use in industrial-military power amplifier 文件：49.64 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：160.67 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
25 AMPERE POWER TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 100, 120, 140, 150 VOLTS 200 WATTS 文件：198.75 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
POWER TRANSISTORS NPN SILICON . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：155.37 Kbytes 页数：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
140V
- 最大电流允许值：
25A
- 最大工作频率：
>40MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDW30,BDY58,2N5672,2N6275,2N6276,2N6277,3DK210C,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
140
- htest：
40000100
- atest：
25
- wtest：
200
产品属性
- 产品编号：
2N6339
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
NPN TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
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询价 | ||
MOTOROLA |
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50000 |
原装现货 |
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TO-3 |
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