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2N6211-2N6213

MEDIUM-POWER HIGH-VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS

MEDIUM-POWER HIGH-VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS 2 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 225-350 VOLTS 35 WATTS

文件:222.14 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6211-HR

3W PNP High Power BJT Transistor

This BJT is packaged in TO-66 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

Digitron

2N6211P

PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -2A PIND Tested

This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-voltage, 2N6211, 2N6212, 2N6213 and 2N6213A transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/461. Two levels of product assu

Microchip

微芯科技

2N6211P

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

Microchip

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    2N6211

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.4V @ 125mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 1A,2.8V

  • 频率 - 跃迁:

    20MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66

  • 描述:

    TRANS PNP 225V 2A TO66

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N6211供应商 更新时间2025-12-18 10:50:00