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2N6211P	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -2A PIND Tested This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-voltage, 2N6211, 2N6212, 2N6213 and 2N6213A transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/461. Two levels of product assu	Microchip 微芯科技	Microchip
2N6211P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-213AA，TO-66-2；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip
JAN2N6211	文件：58.31 Kbytes Page：2 Pages	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/461 文件：58.31 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
JANTX2N6211	文件：58.31 Kbytes Page：2 Pages	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/461 文件：58.31 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
JANTXV2N6211	文件：58.31 Kbytes Page：2 Pages	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/461 文件：58.31 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

产品属性

产品编号：
2N6211P
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 125mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 1A，5V
工作温度：
-55°C ~ 200°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
POWER BJT

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更多2N6211P供应商更新时间2025-12-18 14:59:00

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