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2N6059分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6059
厂商型号

2N6059

参数属性

2N6059 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

功能描述

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

223.22 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

COMSET

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更新时间

2025-8-9 19:39:00

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2N6059规格书详情

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

The 2N6050, 2N6051 and 2N6052 are silicon epitaxial-base transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case.

They are inteded for use in power linear and low frequency switching applications.

The complementary NPN types are 2N6057, 2N6058 and 2N6059 respectively.

Compliance to RoHS.

产品属性

  • 产品编号:

    2N6059

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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20+
TO-3
38900
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