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2N6039中文资料4.0 A,80 V,NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N6039

参数属性

2N6039 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3

功能描述

4.0 A,80 V,NPN 达林顿双极功率晶体管

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 17:01:00

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2N6039规格书详情

描述 Description

The Power 4 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current Gain -hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdcVCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6035, 2N6038VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6036, 2N6039
• Forward Biased Second Breakdown Current CapabilityIS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc
• Monolithic Construction with Built-in Base-EmitterResistors to Limit Leakage Multiplication
• Space-Saving High Performance-to-Cost RatioTO-225AA Plastic Package
• Pb-Free Packages are Available

技术参数

  • 制造商编号

    :2N6039

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :4

  • V(BR)CEO Min (V)

    :80

  • VCE(sat) Max (V)

    :2

  • hFE Min (k)

    :0.75

  • hFE Max (k)

    :15

  • fT Min (MHz)

    :25

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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