2N5886分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
2N5886规格书详情
DESCRIPTION
·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min)@IC= 10A
·Low Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A
·Complement to Type 2N5883/5884
APPLICATIONS
·Designed for general purpose power amplifier and switching applications.
产品属性
- 产品编号:2N5886 
- 制造商:Microchip Technology 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:散装 
- 描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 
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