2N5884G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5884G |
| 参数属性 | 2N5884G 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 25A TO204 |
| 功能描述 | Complementary Silicon High?뭁ower Transistors |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 文件大小 |
94.94 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-3 18:11:00 |
| 人工找货 | 2N5884G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5884G规格书详情
2N5884G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的2N5884G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Complementary silicon high−power transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications.
特性 Features
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current
ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
• Excellent DC Current Gain −
hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
• High Current Gain Bandwidth Product −
f = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
2N5884G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 6.25A，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10A，4V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS PNP 80V 25A TO204
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/ON |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-204 |
977 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-204(TO-3) |
8866 |
询价 | |||
2N5885 |
25+ |
17 |
17 |
询价 | |||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3 |
28888 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
SMD |
70 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
2447 |
TO-3(TO-204) |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
