2N5830分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5830 |
| 参数属性 | 2N5830 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3 |
| 功能描述 | NPN General Purpose Amplifier |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
24.94 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | FAIRCHILD |
| 中文名称 | 仙童半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N5830价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N5830三极管、2N5830晶体管、2N5830晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_视频输出 （Vid）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
12V
- 最大电流允许值：
0.6A
- 最大工作频率：
>100MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BF391,BF392,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,2N5550,3DG84E,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-31
- vtest：
12
- htest：
100000100
- atest：
0.6
- wtest：
0.625
2N5830规格书详情
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics.
产品属性
- 产品编号：
2N5830
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-92-3 |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-92-3 |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
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25+ |
TO-92 |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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