2N5770_D26Z_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-安森美半导体

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厂家型号：
2N5770_D26Z
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
更新时间：
2026-10-1 8:24:00

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原厂料号：2N5770_D26Z品牌：onsemi

资料说明：RF TRANS NPN 15V TO92-3

2N5770_D26Z是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线的2N5770_D26Z晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2N5770_D26Z
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
资料说明：
RF TRANS NPN 15V TO92-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
2N5770_D26Z
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 8mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
RF TRANS NPN 15V TO92-3

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2N5770_D26Z

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