2N5770_D26Z 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
2N5770_D26Z
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi
库存数量：
9350
产品封装：
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-31 14:11:00

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原厂料号：2N5770_D26Z品牌：onsemi

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2N5770_D26Z是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商onsemi生产封装TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)/TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线的2N5770_D26Z晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2N5770_D26Z
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
资料说明：
两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
2N5770_D26Z
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 8mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
RF TRANS NPN 15V TO92-3

供应商

企业：
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
许小姐
手机：
13717125871
询价：
电话：
0755-83201583/83214703
传真：
0755-22669259
地址：
福田区华强北路上步工业区102栋620室

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