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2N5551数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5551

参数属性

2N5551 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92

功能描述

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

制造商

DEC DIOTEC Electronics Corporation

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:11:00

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2N5551规格书详情

描述 Description

• Power dissipation             625 mW
• Plastic case                  TO-92
• Weight approx.                0.18 g
• Plastic material has UL classification 94V-0
• Standard packaging taped in ammo pack

技术参数

  • 产品编号:

    2N5551

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A TO92

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