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2N5416中文资料Transistor GP BJT PNP 3-Pin 300V, 1A, 0.75W TO-5 Bag数据手册Microchip规格书

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厂商型号

2N5416

参数属性

2N5416 封装/外壳为TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP TRANSISTORS

功能描述

Transistor GP BJT PNP 3-Pin 300V, 1A, 0.75W TO-5 Bag
PNP TRANSISTORS

封装外壳

TO-205AA,TO-5-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:40:00

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2N5416规格书详情

描述 Description

This family of 2N5415 and 2N5416 epitaxial planar PNP transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications. These transistors are available in a TO-205AD (TO-39) and low profile surfacemount U4, U4 and UA packaging.

特性 Features

JEDEC registered 2N5415 through 2N5416 series.JANHC, JANKC, JAN, JANTX, JANTXV, and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/485
(See part nomenclature for all available options.) RoHS compliant
General purpose transistors for low power applications requiring high frequency switching
Low package profile
Military and other high-reliability applications.Available in TO-205AA (TO-5), UA, U4 and UB surfacemount packages

简介

2N5416属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5416晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5416

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5AA

  • 描述:

    PNP TRANSISTORS

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